MOSFET onsemi NDS0605, VDSS 60 V, ID 180 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 671-1071Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NDS0605
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

180 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

360 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,8 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.92mm

Profundidad

1.3mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

0.93mm

Datos del producto

MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor

La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia de encendido para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida.

Características y ventajas:

• interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión
• Diseño de celdas de alta densidad
• corriente de saturación alta
• conmutación superior
• Gran rendimiento robusto y fiable
• Tecnología DMOS

Aplicaciones:

• Conmutación De Carga
• Convertidor CC/CC
• Protección de la batería
• Control de administración de energía
• Control del motor de CC

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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$ 333

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 396,27

Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)

MOSFET onsemi NDS0605, VDSS 60 V, ID 180 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 3.330
20$ 6.660
30$ 9.990
40$ 13.320
50$ 15.850
60$ 19.020
70$ 22.190
80$ 25.360
90$ 28.530
100$ 26.600
110$ 29.260
120$ 31.920
130$ 34.580
140$ 37.240
150$ 39.900

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Producción -

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10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 3.330
20$ 6.660
30$ 9.990
40$ 13.320
50$ 15.850
60$ 19.020
70$ 22.190
80$ 25.360
90$ 28.530
100$ 26.600
110$ 29.260
120$ 31.920
130$ 34.580
140$ 37.240
150$ 39.900

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 40$ 333$ 3.330
50 - 90$ 317$ 3.170
100 - 240$ 266$ 2.660
250 - 490$ 251$ 2.510
500+$ 234$ 2.340

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onsemi

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

180 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

360 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,8 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.92mm

Profundidad

1.3mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

0.93mm

Datos del producto

MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor

La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia de encendido para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida.

Características y ventajas:

• interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión
• Diseño de celdas de alta densidad
• corriente de saturación alta
• conmutación superior
• Gran rendimiento robusto y fiable
• Tecnología DMOS

Aplicaciones:

• Conmutación De Carga
• Convertidor CC/CC
• Protección de la batería
• Control de administración de energía
• Control del motor de CC

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