MOSFET onsemi NDF10N60ZG, VDSS 600 V, ID 10 A, TO-220FP de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
750 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Disipación de Potencia Máxima
39000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
4.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
10.63mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
47 nC @ 10 V
Altura
16.12mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
Korea, Republic Of
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
50
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N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
750 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Disipación de Potencia Máxima
39000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
4.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
10.63mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
47 nC @ 10 V
Altura
16.12mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
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