Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiConfiguración de diodo
Ánodo común
Tipo de producto
Silicon Junction
Corriente directa máxima lf
8A
Tipo Sub
Silicon Junction
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Encapsulado
TO-220
Número de pines
3
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
85ns
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
200V
Tensión directa máxima Vf
1.2V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
100A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Largo
10.28mm
Altura
9.28mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
4.82mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los productos con números de referencia del fabricante con prefijo NSV- o S- están indicados para aplicaciones de automoción conformes al estándar AEC-Q101.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
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Brand
onsemiConfiguración de diodo
Ánodo común
Tipo de producto
Silicon Junction
Corriente directa máxima lf
8A
Tipo Sub
Silicon Junction
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Encapsulado
TO-220
Número de pines
3
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
85ns
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
200V
Tensión directa máxima Vf
1.2V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
100A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Largo
10.28mm
Altura
9.28mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
4.82mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los productos con números de referencia del fabricante con prefijo NSV- o S- están indicados para aplicaciones de automoción conformes al estándar AEC-Q101.