Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
300 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Tensión Base Máxima del Colector
500 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Conteo de Pines
3
Número de elementos por chip
1
Dimensiones del Cuerpo
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
1
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1
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Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
300 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Tensión Base Máxima del Colector
500 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Conteo de Pines
3
Número de elementos por chip
1
Dimensiones del Cuerpo
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC


