Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
200 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
40 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
300 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
0.94 x 2.9 x 1.3mm
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
50
P.O.A.
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50
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onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
200 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
40 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
300 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
0.94 x 2.9 x 1.3mm
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.