Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
0.3 to 1.5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
40V
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Largo
2.92mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.3mm
Altura
0.93mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
P.O.A.
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Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Rollo)
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
0.3 to 1.5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
40V
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Largo
2.92mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.3mm
Altura
0.93mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


