Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.5 to 20mA
Maximum Drain Gate Voltage
25V dc
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Fuente-Puerta
11pF
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Altura
1.01mm
Ancho
1.4mm
Datos del producto
JFET de canal P, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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$ 479
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 570,01
Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)
10
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10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
10 - 90 | $ 479 | $ 4.790 |
100 - 240 | $ 232 | $ 2.320 |
250 - 490 | $ 222 | $ 2.220 |
500 - 990 | $ 210 | $ 2.100 |
1000+ | $ 171 | $ 1.710 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.5 to 20mA
Maximum Drain Gate Voltage
25V dc
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Fuente-Puerta
11pF
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Altura
1.01mm
Ancho
1.4mm
Datos del producto
JFET de canal P, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.