Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
-2 to -25mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.92mm
Altura
0.93mm
Ancho
1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal P, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 269
Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
$ 320,11
Each (Supplied as a Tape) (IVA Incluido)
50
$ 269
Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
$ 320,11
Each (Supplied as a Tape) (IVA Incluido)
50
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Cinta |
---|---|---|
50 - 50 | $ 269 | $ 13.450 |
100 - 950 | $ 159 | $ 7.950 |
1000 - 2950 | $ 155 | $ 7.750 |
3000+ | $ 152 | $ 7.600 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
-2 to -25mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.92mm
Altura
0.93mm
Ancho
1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal P, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.