Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de producto
JFET
Tipo Sub
Interruptor de canal N
Tipo de Canal
Type N
Configuración
Single
Tipo de Montaje
Surface
Encapsulado
SOT-23
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-35 V
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
100Ω
Número de pines
3
Corriente de fuente de drenaje Ids
2 mA
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Largo
2.92mm
Profundidad
1.3 mm
Altura
0.93mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Volver a intentar más tarde
$ 351.000
$ 117 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 417.690
$ 139,23 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
$ 351.000
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3000
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Brand
onsemiTipo de producto
JFET
Tipo Sub
Interruptor de canal N
Tipo de Canal
Type N
Configuración
Single
Tipo de Montaje
Surface
Encapsulado
SOT-23
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-35 V
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
100Ω
Número de pines
3
Corriente de fuente de drenaje Ids
2 mA
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Largo
2.92mm
Profundidad
1.3 mm
Altura
0.93mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


