Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Producto
JFET
Tipo Sub
Interruptor de canal N
Tipo de canal
Type N
Configuración
Single
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Corriente de fuente de drenaje Ids
2 mA
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-35 V
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
100Ω
Número de pines
3
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
0.93mm
Ancho
1.3 mm
Longitud
2.92mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Volver a intentar más tarde
$ 9.875
$ 395 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
$ 11.751
$ 470,05 Each (In a Pack of 25) (IVA Inc.)
Estándar
25
$ 9.875
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$ 11.751
$ 470,05 Each (In a Pack of 25) (IVA Inc.)
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25
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 25 - 75 | $ 395 | $ 9.875 |
| 100 - 225 | $ 340 | $ 8.500 |
| 250 - 475 | $ 296 | $ 7.400 |
| 500 - 975 | $ 260 | $ 6.500 |
| 1000+ | $ 236 | $ 5.900 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Producto
JFET
Tipo Sub
Interruptor de canal N
Tipo de canal
Type N
Configuración
Single
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Corriente de fuente de drenaje Ids
2 mA
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-35 V
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
100Ω
Número de pines
3
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
0.93mm
Ancho
1.3 mm
Longitud
2.92mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


