Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo Sub
Interruptor de canal N
Tipo de Canal
Type N
Tipo de producto
JFET
Configuración
Single
Tipo de soporte
Surface
Encapsulado
SOT-23
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
50Ω
Número de pines
3
Corriente de fuente de drenaje Ids
5 mA
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Longitud
2.92mm
Altura
0.93mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
P.O.A.
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Empaque de Producción (Rollo)
25
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo Sub
Interruptor de canal N
Tipo de Canal
Type N
Tipo de producto
JFET
Configuración
Single
Tipo de soporte
Surface
Encapsulado
SOT-23
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
50Ω
Número de pines
3
Corriente de fuente de drenaje Ids
5 mA
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Longitud
2.92mm
Altura
0.93mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


