Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Producto
JFET
Tipo Sub
Interruptor de canal N
Tipo de canal
Type N
Configuración
Single
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-35 V
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
50Ω
Número de pines
3
Corriente de fuente de drenaje Ids
5 mA
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
1.3 mm
Longitud
2.92mm
Altura
0.93mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Volver a intentar más tarde
$ 354.000
$ 118 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 421.260
$ 140,42 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
$ 354.000
$ 118 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 421.260
$ 140,42 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
3000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Producto
JFET
Tipo Sub
Interruptor de canal N
Tipo de canal
Type N
Configuración
Single
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-35 V
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
50Ω
Número de pines
3
Corriente de fuente de drenaje Ids
5 mA
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
1.3 mm
Longitud
2.92mm
Altura
0.93mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


