JFET, MMBFJ112, N-Canal, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
35V
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Profundidad
1.3mm
Altura
0.93mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Largo
2.92mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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$ 7.800
$ 312 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
$ 9.282
$ 371,28 Each (In a Pack of 25) (IVA Inc.)
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25
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 25 - 75 | $ 312 | $ 7.800 |
| 100 - 225 | $ 269 | $ 6.725 |
| 250 - 475 | $ 233 | $ 5.825 |
| 500 - 975 | $ 205 | $ 5.125 |
| 1000+ | $ 186 | $ 4.650 |
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N
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
35V
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Single
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Profundidad
1.3mm
Altura
0.93mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Largo
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
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