Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Producto
JFET
Tipo Sub
Interruptor de canal N
Tipo de canal
Type N
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
15V
Configuración
Single
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-35 V
Número de pines
3
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
30Ω
Corriente de fuente de drenaje Ids
20 mA
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
1.3 mm
Altura
1.04mm
Longitud:
2.9mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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50
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Producto
JFET
Tipo Sub
Interruptor de canal N
Tipo de canal
Type N
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
15V
Configuración
Single
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-35 V
Número de pines
3
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
30Ω
Corriente de fuente de drenaje Ids
20 mA
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
1.3 mm
Altura
1.04mm
Longitud:
2.9mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


