Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
20mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
1.04mm
Ancho
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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$ 457
Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
$ 543,83
Each (Supplied as a Tape) (IVA Incluido)
50
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50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Cinta |
---|---|---|
50 - 50 | $ 457 | $ 22.850 |
100 - 950 | $ 266 | $ 13.300 |
1000 - 2950 | $ 180 | $ 9.000 |
3000 - 8950 | $ 158 | $ 7.900 |
9000+ | $ 152 | $ 7.600 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
20mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
1.04mm
Ancho
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.