JFET, MMBFJ111, N-Canal, 15 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
20mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
35V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
2.9mm
Altura
1.04mm
Profundidad
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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$ 16.000
$ 320 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
$ 19.040
$ 380,80 Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)
Estándar
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Cinta |
|---|---|---|
| 50 - 200 | $ 320 | $ 16.000 |
| 250 - 450 | $ 146 | $ 7.300 |
| 500 - 2450 | $ 140 | $ 7.000 |
| 2500 - 4950 | $ 112 | $ 5.600 |
| 5000+ | $ 98 | $ 4.900 |
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N
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
35V
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30 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
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Altura
1.04mm
Profundidad
1.3mm
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