JFET, MMBFJ111, N-Canal, 15 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple

Name: JFET, MMBFJ111, N-Canal, 15 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
Brand: onsemi
SKU: 8064311P

Código de producto RS: 806-4311PMarca: onsemiNúmero de parte de fabricante: MMBFJ111

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

20mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

15 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-35 V

Tensión Máxima Puerta-Drenador

35V

Configuración de transistor

Single

Configuración

Single

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

30 Ω

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Conteo de Pines

Capacidad Drenador-Fuente

28pF

Capacidad Fuente-Puerta

28pF

Dimensiones

2.9 x 1.3 x 1.04mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

2.9mm

Altura

1.04mm

Profundidad

1.3mm

Datos del producto

JFET de canal N, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

JFET, MMBFJ111, N-Canal, 15 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple

Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

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Brand

onsemi

Tipo de Canal

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

20mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

15 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-35 V

Tensión Máxima Puerta-Drenador

35V

Configuración de transistor

Single

Configuración

Single

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

30 Ω

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Conteo de Pines

Capacidad Drenador-Fuente

28pF

Capacidad Fuente-Puerta

28pF

Dimensiones

2.9 x 1.3 x 1.04mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

2.9mm

Altura

1.04mm

Profundidad

1.3mm

Datos del producto

JFET de canal N, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.