Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo Sub
Interruptor de canal N
Tipo de Canal
N
Tipo de Producto
JFET
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
20V
Configuración
Single
Tipo de Montaje
Surface
Encapsulado
SOT-23
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-40V
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Número de pines
3
Corriente de fuente de drenaje Ids
10 to 40 mA
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
1.3mm
Longitud:
2.9mm
Altura
1.04mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)
Volver a intentar más tarde
$ 17.650
$ 353 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
$ 21.004
$ 420,07 Each (In a Pack of 50) (IVA Inc.)
Estándar
50
$ 17.650
$ 353 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
$ 21.004
$ 420,07 Each (In a Pack of 50) (IVA Inc.)
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Estándar
50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 50 - 450 | $ 353 | $ 17.650 |
| 500 - 950 | $ 304 | $ 15.200 |
| 1000+ | $ 263 | $ 13.150 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo Sub
Interruptor de canal N
Tipo de Canal
N
Tipo de Producto
JFET
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
20V
Configuración
Single
Tipo de Montaje
Surface
Encapsulado
SOT-23
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-40V
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Número de pines
3
Corriente de fuente de drenaje Ids
10 to 40 mA
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
1.3mm
Longitud:
2.9mm
Altura
1.04mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)