Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo Sub
Interruptor de canal N
Tipo de Canal
Type N
Tipo de producto
JFET
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
0.2V
Configuración
Single
Tipo de soporte
Surface
Encapsulado
SOT-23
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
80Ω
Número de pines
3
Corriente de fuente de drenaje Ids
8 mA
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Longitud
2.92mm
Altura
0.93mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Volver a intentar más tarde
$ 22.750
$ 455 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
$ 27.072
$ 541,45 Each (In a Pack of 50) (IVA Inc.)
Estándar
50
$ 22.750
$ 455 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
$ 27.072
$ 541,45 Each (In a Pack of 50) (IVA Inc.)
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Estándar
50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 455 | $ 22.750 |
| 100 - 950 | $ 214 | $ 10.700 |
| 1000 - 2950 | $ 165 | $ 8.250 |
| 3000 - 8950 | $ 142 | $ 7.100 |
| 9000+ | $ 140 | $ 7.000 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo Sub
Interruptor de canal N
Tipo de Canal
Type N
Tipo de producto
JFET
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
0.2V
Configuración
Single
Tipo de soporte
Surface
Encapsulado
SOT-23
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
80Ω
Número de pines
3
Corriente de fuente de drenaje Ids
8 mA
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Longitud
2.92mm
Altura
0.93mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


