Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 8mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
0.2 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.92mm
Altura
0.93mm
Ancho
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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$ 501
Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
$ 596,19
Each (In a Pack of 50) (IVA Incluido)
50
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50
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
50 - 50 | $ 501 | $ 25.050 |
100 - 950 | $ 235 | $ 11.750 |
1000 - 2950 | $ 183 | $ 9.150 |
3000 - 8950 | $ 156 | $ 7.800 |
9000+ | $ 155 | $ 7.750 |
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Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 8mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
0.2 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.92mm
Altura
0.93mm
Ancho
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.