Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
20 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
5mA
Altura
21.08mm
Profundidad
5.3mm
Dimensiones del Cuerpo
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
16.26mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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P.O.A.
2
P.O.A.
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Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
20 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
5mA
Altura
21.08mm
Profundidad
5.3mm
Dimensiones del Cuerpo
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
16.26mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.