Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
10 A dc
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.63mm
Altura
16.12mm
Ancho
4.9mm
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones
10.63 x 4.9 x 16.12mm
País de Origen
Korea, Republic Of
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
10 A dc
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.63mm
Altura
16.12mm
Ancho
4.9mm
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones
10.63 x 4.9 x 16.12mm
País de Origen
Korea, Republic Of