Transistor Darlington, MJE5742G, NPN 8 A, 400 V, HFE:50, TO-220, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
400 V
Tensión Máxima Emisor-Base
8 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
50
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
3.5 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
5mA
Altura
15.75mm
Ancho
4.82mm
Disipación de Potencia Máxima
100000 mW
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.28mm
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 2.538,27
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50
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|---|---|---|
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| 100 - 450 | $ 1.743 | $ 87.150 |
| 500 - 950 | $ 1.476 | $ 73.800 |
| 1000+ | $ 1.330 | $ 66.500 |
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NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
400 V
Tensión Máxima Emisor-Base
8 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
50
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
3.5 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
5mA
Altura
15.75mm
Ancho
4.82mm
Disipación de Potencia Máxima
100000 mW
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Temperatura máxima de funcionamiento
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