Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
10 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
40 V
Tipo de Encapsulado
TO-225
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
15000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
45
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
25 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
8 V dc
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
10 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
7.8 x 3 x 11.1mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
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P.O.A.
25
P.O.A.
25
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
10 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
40 V
Tipo de Encapsulado
TO-225
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
15000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
45
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
25 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
8 V dc
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
10 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
7.8 x 3 x 11.1mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China