Transistor Darlington, MJD122T4G, NPN 8 A, 100 V, HFE:100, DPAK (TO-252), 3 pines Simple

Código de producto RS: 463-189Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: MJD122T4G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Transistor

NPN

Corriente Máxima Continua del Colector

8 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

100 V

Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Transistor Configuration

Single

Número de Elementos por Chip

1

Ganancia Mínima de Corriente DC

100

Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor

4.5 V

Maximum Collector Base Voltage

100 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

4 V

Corriente de Corte Máxima del Colector

0.01mA

Altura

2.38mm

Dimensiones del Cuerpo

6.73 x 6.22 x 2.38mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

6.73mm

Profundidad

6.22mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65 °C

Datos del producto

Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

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$ 842

Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

$ 1.001,98

Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)

Transistor Darlington, MJD122T4G, NPN 8 A, 100 V, HFE:100, DPAK (TO-252), 3 pines Simple
Seleccionar tipo de embalaje

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 16.840
40$ 33.680
60$ 50.520
80$ 67.360
100$ 54.800
120$ 65.760
140$ 76.720
160$ 87.680
180$ 98.640
200$ 109.600
220$ 120.560
240$ 131.520
260$ 142.480
280$ 153.440
300$ 164.400

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180$ 98.640
200$ 109.600
220$ 120.560
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300$ 164.400

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
20 - 80$ 842$ 16.840
100 - 380$ 548$ 10.960
400 - 980$ 520$ 10.400
1000+$ 432$ 8.640

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NPN

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8 A

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100 V

Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

Tipo de Encapsulado

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1

Ganancia Mínima de Corriente DC

100

Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor

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4 V

Corriente de Corte Máxima del Colector

0.01mA

Altura

2.38mm

Dimensiones del Cuerpo

6.73 x 6.22 x 2.38mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

6.73mm

Profundidad

6.22mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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