Transistor Darlington, MJ11033G, PNP 50 A, 120 V, HFE:400, TO-204, 2 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
120 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-204
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
2
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
400
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4.5 V
Tensión Base Máxima del Colector
120 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
3.5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+200 °C
Largo
38.86mm
Altura
8.51mm
Profundidad
26.67mm
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
38.86 x 26.67 x 8.51mm
País de Origen
Mexico
Datos del producto
Transistores Darlington PNP, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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Especificaciones
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PNP
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50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
120 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-204
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
2
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
400
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4.5 V
Tensión Base Máxima del Colector
120 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
3.5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+200 °C
Largo
38.86mm
Altura
8.51mm
Profundidad
26.67mm
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
38.86 x 26.67 x 8.51mm
País de Origen
Mexico
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