Transistor Darlington, MJ11032G, NPN 50 A, 120 V, HFE:400, TO-204, 2 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
120 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-204
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
2
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
400
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3.5 V
Altura
8.51mm
Profundidad
26.67mm
Dimensiones del Cuerpo
38.86 x 26.67 x 8.51mm
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+200 °C
Longitud:
38.86mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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| 100 - 199 | $ 13.836 |
| 200 - 499 | $ 13.412 |
| 500+ | $ 12.579 |
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NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
120 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-204
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
2
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
400
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3.5 V
Altura
8.51mm
Profundidad
26.67mm
Dimensiones del Cuerpo
38.86 x 26.67 x 8.51mm
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+200 °C
Longitud:
38.86mm
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