Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
30 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
120 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-204
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
5 V
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Longitud
39.37mm
Altura
8.51mm
Ancho
26.67mm
Dimensiones del Cuerpo
39.37 x 26.67 x 8.51mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+200 °C
País de Origen
Czech Republic
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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$ 8.233
Each (In a Tray of 100) (Sin IVA)
$ 9.797,27
Each (In a Tray of 100) (IVA Incluido)
100
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100
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NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
30 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
120 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-204
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
5 V
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Longitud
39.37mm
Altura
8.51mm
Ancho
26.67mm
Dimensiones del Cuerpo
39.37 x 26.67 x 8.51mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+200 °C
País de Origen
Czech Republic
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.