Transistor Darlington, MJ11016G, NPN 30 A, 120 V, HFE:200, TO-204, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
30 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
120 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-204
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
5 V
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+200 °C
Longitud
39.37mm
Ancho
26.67mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
8.51mm
Dimensiones del Cuerpo
39.37 x 26.67 x 8.51mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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30 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
120 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-204
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
5 V
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+200 °C
Longitud
39.37mm
Ancho
26.67mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
8.51mm
Dimensiones del Cuerpo
39.37 x 26.67 x 8.51mm
Datos del producto
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