MOSFET onsemi MGSF1N02LG, VDSS 20 V, ID 750 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
750 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
130 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Disipación de Potencia Máxima
400 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.01mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
20
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N
Maximum Continuous Drain Current
750 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
130 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Disipación de Potencia Máxima
400 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.01mm
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