Par Darlington, MC1413BDG, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, SOIC, 16 pines Emisor común
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
16
Configuración de transistor
Common Emitter
Número de elementos por chip
7
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
1.6 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Temperatura Máxima de Operación
+85 °C.
Longitud:
10mm
Altura
1.5mm
Ancho
4mm
Dimensiones del Cuerpo
10 x 4 x 1.5mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
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16
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Common Emitter
Número de elementos por chip
7
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
1.6 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Temperatura Máxima de Operación
+85 °C.
Longitud:
10mm
Altura
1.5mm
Ancho
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