Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de producto
Diode
Tipo de soporte
Surface
Encapsulado
DO-214AA
Corriente continua máxima directa lf
2A
Tensión repetitiva inversa de pico Vrrm
40V
Configuración de diodo
Single
Tipo de rectificador
Diodo Schottky
Número de pines
2
Corriente inversa de pico lr
2mA
Tensión directa máxima Vf
540mV
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
25A
Temperatura Máxima de Operación
125°C
Ancho
3.56 mm
Longitud
4.32mm
Altura
2.13mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
Diodos De Barrera Schottky De On Semiconductor
Este rectificador de potencia Schottky DE on Semiconductor utiliza el principio de barrera Schottky con un metal de barrera para crear la mejor caída de tensión directa en intercambio de corriente inversa de− . Adecuado para rectificación de alta frecuencia y baja tensión, así como un diodo de protección de polaridad y circulación libre en una amplia gama de aplicaciones de montaje en superficie donde un tamaño y peso más compactos son la clave.
Sin Plomo
Diseñado Para Un Montaje Automatizado Óptimo De La Placa
Protección Contra Tensión
Caja Moldeada De Epoxi
paquete ligero de 11,7 mg
Standards
Products with NSV-, SBR- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
Volver a intentar más tarde
$ 11.150
$ 446 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
$ 13.268
$ 530,74 Each (In a Pack of 25) (IVA Inc.)
Estándar
25
$ 11.150
$ 446 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
$ 13.268
$ 530,74 Each (In a Pack of 25) (IVA Inc.)
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Estándar
25
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 25 - 75 | $ 446 | $ 11.150 |
| 100 - 225 | $ 384 | $ 9.600 |
| 250 - 475 | $ 332 | $ 8.300 |
| 500 - 975 | $ 293 | $ 7.325 |
| 1000+ | $ 266 | $ 6.650 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de producto
Diode
Tipo de soporte
Surface
Encapsulado
DO-214AA
Corriente continua máxima directa lf
2A
Tensión repetitiva inversa de pico Vrrm
40V
Configuración de diodo
Single
Tipo de rectificador
Diodo Schottky
Número de pines
2
Corriente inversa de pico lr
2mA
Tensión directa máxima Vf
540mV
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
25A
Temperatura Máxima de Operación
125°C
Ancho
3.56 mm
Longitud
4.32mm
Altura
2.13mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
Diodos De Barrera Schottky De On Semiconductor
Este rectificador de potencia Schottky DE on Semiconductor utiliza el principio de barrera Schottky con un metal de barrera para crear la mejor caída de tensión directa en intercambio de corriente inversa de− . Adecuado para rectificación de alta frecuencia y baja tensión, así como un diodo de protección de polaridad y circulación libre en una amplia gama de aplicaciones de montaje en superficie donde un tamaño y peso más compactos son la clave.
Sin Plomo
Diseñado Para Un Montaje Automatizado Óptimo De La Placa
Protección Contra Tensión
Caja Moldeada De Epoxi
paquete ligero de 11,7 mg
Standards
Products with NSV-, SBR- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.


