Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de producto
Diode
Tipo de Montaje
Superficie
Encapsulado
DO-214AA
Corriente continua máxima directa lf
2A
Tensión repetitiva inversa de pico Vrrm
40V
Configuración de diodo
Single
Tipo de rectificador
Diodo Schottky
Número de pines
2
Corriente inversa de pico lr
2mA
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
25A
Tensión directa máxima Vf
540mV
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125°C
Altura
2.13mm
Longitud
4.32mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
3.56mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
Este rectificador de potencia Schottky DE on Semiconductor utiliza el principio de barrera Schottky con un metal de barrera para crear la mejor caída de tensión directa en intercambio de corriente inversa de− . Adecuado para rectificación de alta frecuencia y baja tensión, así como un diodo de protección de polaridad y circulación libre en una amplia gama de aplicaciones de montaje en superficie donde un tamaño y peso más compactos son la clave.
Los productos con números de referencia del fabricante con prefijo NSV- , SBR- o S- están indicados para aplicaciones de automoción conformes al estándar AEC-Q101.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Rollo)
25
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de producto
Diode
Tipo de Montaje
Superficie
Encapsulado
DO-214AA
Corriente continua máxima directa lf
2A
Tensión repetitiva inversa de pico Vrrm
40V
Configuración de diodo
Single
Tipo de rectificador
Diodo Schottky
Número de pines
2
Corriente inversa de pico lr
2mA
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
25A
Tensión directa máxima Vf
540mV
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125°C
Altura
2.13mm
Longitud
4.32mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
3.56mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
Este rectificador de potencia Schottky DE on Semiconductor utiliza el principio de barrera Schottky con un metal de barrera para crear la mejor caída de tensión directa en intercambio de corriente inversa de− . Adecuado para rectificación de alta frecuencia y baja tensión, así como un diodo de protección de polaridad y circulación libre en una amplia gama de aplicaciones de montaje en superficie donde un tamaño y peso más compactos son la clave.
Los productos con números de referencia del fabricante con prefijo NSV- , SBR- o S- están indicados para aplicaciones de automoción conformes al estándar AEC-Q101.