Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de soporte
Surface
Tipo de producto
Diode
Encapsulado
DO-214AA
Corriente continua máxima directa lf
2A
Tensión repetitiva inversa de pico Vrrm
40V
Configuración de diodo
Single
Tipo de rectificador
Diodo Schottky
Número de pines
2
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
70A
Corriente inversa de pico lr
800μA
Tensión directa máxima Vf
430mV
Temperatura Máxima de Operación
125°C
Certificaciones y estándares
No
Longitud
4.32mm
Altura
2.13mm
Ancho
3.56 mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
Diodos De Barrera Schottky De On Semiconductor
Este rectificador de potencia Schottky DE on Semiconductor utiliza el principio de barrera Schottky con un metal de barrera para crear la mejor caída de tensión directa en intercambio de corriente inversa de− . Adecuado para rectificación de alta frecuencia y baja tensión, así como un diodo de protección de polaridad y circulación libre en una amplia gama de aplicaciones de montaje en superficie donde un tamaño y peso más compactos son la clave.
Sin Plomo
Diseñado Para Un Montaje Automatizado Óptimo De La Placa
Protección Contra Tensión
Caja Moldeada De Epoxi
paquete ligero de 11,7 mg
Standards
Products with NSV-, SBR- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
P.O.A.
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Empaque de Producción (Rollo)
25
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de soporte
Surface
Tipo de producto
Diode
Encapsulado
DO-214AA
Corriente continua máxima directa lf
2A
Tensión repetitiva inversa de pico Vrrm
40V
Configuración de diodo
Single
Tipo de rectificador
Diodo Schottky
Número de pines
2
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
70A
Corriente inversa de pico lr
800μA
Tensión directa máxima Vf
430mV
Temperatura Máxima de Operación
125°C
Certificaciones y estándares
No
Longitud
4.32mm
Altura
2.13mm
Ancho
3.56 mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
Diodos De Barrera Schottky De On Semiconductor
Este rectificador de potencia Schottky DE on Semiconductor utiliza el principio de barrera Schottky con un metal de barrera para crear la mejor caída de tensión directa en intercambio de corriente inversa de− . Adecuado para rectificación de alta frecuencia y baja tensión, así como un diodo de protección de polaridad y circulación libre en una amplia gama de aplicaciones de montaje en superficie donde un tamaño y peso más compactos son la clave.
Sin Plomo
Diseñado Para Un Montaje Automatizado Óptimo De La Placa
Protección Contra Tensión
Caja Moldeada De Epoxi
paquete ligero de 11,7 mg
Standards
Products with NSV-, SBR- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.


