Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Ganancia Mínima de Corriente DC
12
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
1200 V
Tensión Máxima Emisor-Base
12 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
1 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Datos del producto
Transistores NPN de alta tensión, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
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Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Ganancia Mínima de Corriente DC
12
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
1200 V
Tensión Máxima Emisor-Base
12 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
1 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Datos del producto
Transistores NPN de alta tensión, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.