Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
50 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
120 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
120 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
110 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, más de 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Cinta)
200
P.O.A.
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Volver a intentar más tarde
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
50 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
120 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
120 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
110 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, más de 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.


