Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 2mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
35V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 Ω
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
5.2mm
Altura
5.33mm
Profundidad
4.19mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
$ 18.450
$ 369 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
$ 21.956
$ 439,11 Each (In a Pack of 50) (IVA Inc.)
Estándar
50
$ 18.450
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$ 439,11 Each (In a Pack of 50) (IVA Inc.)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 50 - 450 | $ 369 | $ 18.450 |
| 500+ | $ 318 | $ 15.900 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 2mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
35V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 Ω
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
5.2mm
Altura
5.33mm
Profundidad
4.19mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


