Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Altura
5.33mm
Profundidad
4.19mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.2mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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$ 210
Cada Uno (En una Bolsa de 1000) (Sin IVA)
$ 249,90
Cada Uno (En una Bolsa de 1000) (IVA Incluido)
1000
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Bolsa |
---|---|---|
1000 - 2000 | $ 210 | $ 210.000 |
3000+ | $ 178 | $ 178.000 |
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Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Altura
5.33mm
Profundidad
4.19mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.2mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.