Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 20mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 Ω
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.2mm
Altura
5.33mm
Profundidad
4.19mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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$ 440
Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
$ 523,60
Each (In a Pack of 50) (IVA Incluido)
50
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$ 523,60
Each (In a Pack of 50) (IVA Incluido)
50
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
50 - 50 | $ 440 | $ 22.000 |
100 - 950 | $ 205 | $ 10.250 |
1000 - 2450 | $ 162 | $ 8.100 |
2500 - 9950 | $ 155 | $ 7.750 |
10000+ | $ 136 | $ 6.800 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 20mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 Ω
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.2mm
Altura
5.33mm
Profundidad
4.19mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.