Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 40mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
25V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
Ω12
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
85pF
Capacidad Fuente-Puerta
85pF
Dimensiones
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
4.58mm
Altura
4.58mm
Profundidad
3.86mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
$ 13.150
$ 526 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
$ 15.648
$ 625,94 Each (In a Pack of 25) (IVA Inc.)
Estándar
25
$ 13.150
$ 526 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
$ 15.648
$ 625,94 Each (In a Pack of 25) (IVA Inc.)
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25
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 25 - 75 | $ 526 | $ 13.150 |
| 100 - 225 | $ 454 | $ 11.350 |
| 250 - 475 | $ 394 | $ 9.850 |
| 500+ | $ 347 | $ 8.675 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 40mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
25V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
Ω12
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
85pF
Capacidad Fuente-Puerta
85pF
Dimensiones
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
4.58mm
Altura
4.58mm
Profundidad
3.86mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


