onsemi AEC-Q101 IGBT de encendido, ISL9V3040D3ST, Tipo N-Canal, 21 A, 430 V, TO-252, 3 pines Superficie, 1 MHz

Código de producto RS: 807-8758PMarca: onsemiNúmero de parte de fabricante: ISL9V3040D3ST
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Producto

IGBT de encendido

Corriente continua máxima de colector Ic

21A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

430V

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Encapsulado

TO-252

Tipo de Montaje

Superficie

Tipo de canal

Type N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

1MHz

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±10 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

EcoSPARK

Energía nominal

300mJ

Estándar de automoción

AEC-Q101

Datos del producto

IGBT discretos, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

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Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

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Encapsulado

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Tipo de Montaje

Superficie

Tipo de canal

Type N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

1MHz

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±10 V

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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