Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
21 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
300 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±10V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Datos del producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 2.519
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 2.997,61
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
5 - 5 | $ 2.519 | $ 12.595 |
10 - 95 | $ 2.124 | $ 10.620 |
100 - 245 | $ 1.601 | $ 8.005 |
250 - 495 | $ 1.555 | $ 7.775 |
500+ | $ 1.359 | $ 6.795 |
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Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
21 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
300 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±10V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Datos del producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.