Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
10 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
450 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±14V
Disipación de Potencia Máxima
130000 mW
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Datos del producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 2.308
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 2.746,52
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
$ 2.308
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 2.746,52
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
5 - 5 | $ 2.308 | $ 11.540 |
10 - 95 | $ 2.244 | $ 11.220 |
100 - 245 | $ 2.192 | $ 10.960 |
250 - 495 | $ 2.130 | $ 10.650 |
500+ | $ 2.086 | $ 10.430 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
10 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
450 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±14V
Disipación de Potencia Máxima
130000 mW
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Datos del producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.