MOSFET onsemi HUF75344G3, VDSS 55 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Serie
UltraFET
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
285 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
175 nC a 20 V
Ancho
4.82mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
20.82mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor
El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo muestra una carga almacenada y un tiempo de recuperación inversa muy bajos. Optimizado para la eficacia en altas frecuencias, menor RDS(on), ESR baja y carga de compuerta Miller y total bajas.
Aplicaciones en convertidores dc a dc de alta frecuencia, reguladores de conmutación, controladores de motor, interruptores de bus de baja tensión y administración de potencia.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
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| 100 - 248 | $ 3.360 | $ 6.720 |
| 250 - 498 | $ 3.273 | $ 6.546 |
| 500+ | $ 2.995 | $ 5.990 |
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N
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55 V
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Serie
UltraFET
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Through Hole
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 m.Ω
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Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Longitud
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Ancho
4.82mm
Material del transistor
Si
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1
Altura
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Temperatura Mínima de Operación
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El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo muestra una carga almacenada y un tiempo de recuperación inversa muy bajos. Optimizado para la eficacia en altas frecuencias, menor RDS(on), ESR baja y carga de compuerta Miller y total bajas.
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MOSFET Transistors, ON Semi
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