Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de producto
Optocoupler
Tipo de soporte
Surface
Tensión directa máxima
1.4V
Número de Canales
1
Embalaje y empaquetado
Cinta y carrete
Número de Pines
4
Tipo de Encapsulado
SMT
Tiempo de Subida Típico
4μs
Corriente de Entrada Máxima
20mA
Tensión de aislamiento
5kVrms
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Relación de transferencia de corriente máxima
3%
Temperatura Máxima de Operación
110°C
Tiempo de caída típico
3μs
Relación de transferencia de corriente mínima
0.2%
Certificaciones y estándares
UL and VDE, C-UL
Serie
FOD
Estándar de automoción
No
Datos del producto
The FOD814 consists of two gallium arsenide infrared emitting diodes, connected in inverse parallel, driving a silicon phototransistor output in a 4-pin dual in-line package. The FOD817 Series consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor in a 4-pin dual in-line package.
Volver a intentar más tarde
$ 306.000
$ 306 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 364.140
$ 364,14 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
1000
$ 306.000
$ 306 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 364.140
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1000
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | $ 306 | $ 306.000 |
| 2000 - 4000 | $ 295 | $ 295.000 |
| 5000 - 7000 | $ 287 | $ 287.000 |
| 8000 - 9000 | $ 279 | $ 279.000 |
| 10000+ | $ 272 | $ 272.000 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de producto
Optocoupler
Tipo de soporte
Surface
Tensión directa máxima
1.4V
Número de Canales
1
Embalaje y empaquetado
Cinta y carrete
Número de Pines
4
Tipo de Encapsulado
SMT
Tiempo de Subida Típico
4μs
Corriente de Entrada Máxima
20mA
Tensión de aislamiento
5kVrms
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Relación de transferencia de corriente máxima
3%
Temperatura Máxima de Operación
110°C
Tiempo de caída típico
3μs
Relación de transferencia de corriente mínima
0.2%
Certificaciones y estándares
UL and VDE, C-UL
Serie
FOD
Estándar de automoción
No
Datos del producto
The FOD814 consists of two gallium arsenide infrared emitting diodes, connected in inverse parallel, driving a silicon phototransistor output in a 4-pin dual in-line package. The FOD817 Series consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor in a 4-pin dual in-line package.
