IGBT, FGH75T65SQDNL4, P-Canal, 200 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple

Name: IGBT, FGH75T65SQDNL4, P-Canal, 200 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple
Brand: onsemi
SKU: 1811864
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 181-1864Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FGH75T65SQDNL4

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

200 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Número de transistores

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

Conteo de Pines

Velocidad de Conmutación

1MHz

Configuración de transistor

Single

Dimensiones del Cuerpo

15.8 x 5.2 x 22.74mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

160mJ

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Capacitancia de puerta

5100pF

País de Origen

China

$ 3.239.100

$ 7.198 Each (In a Tube of 450) (Sin IVA)

$ 3.854.529

$ 8.565,62 Each (In a Tube of 450) (IVA Inc.)

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450

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$ 7.198 Each (In a Tube of 450) (Sin IVA)

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$ 8.565,62 Each (In a Tube of 450) (IVA Inc.)

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Brand

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

200 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Número de transistores

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

Conteo de Pines

Velocidad de Conmutación

1MHz

Configuración de transistor

Single

Dimensiones del Cuerpo

15.8 x 5.2 x 22.74mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

160mJ

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Capacitancia de puerta

5100pF

País de Origen

China