IGBT, FGH75T65SHDTLN4, P-Canal, 150 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple

Name: IGBT, FGH75T65SHDTLN4, P-Canal, 150 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple
Brand: onsemi
SKU: 1811867

Código de producto RS: 181-1867Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FGH75T65SHDTLN4

Ver todo de IGBT

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

150 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

455 W

Número de transistores

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

Conteo de Pines

Velocidad de Conmutación

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiones del Cuerpo

15.8 x 5.2 x 22.74mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Capacitancia de puerta

3710pF

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

160mJ

País de Origen

China

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

P.O.A.

IGBT, FGH75T65SHDTLN4, P-Canal, 150 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple

450

P.O.A.

IGBT, FGH75T65SHDTLN4, P-Canal, 150 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple

Volver a intentar más tarde

450

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos

Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

150 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

455 W

Número de transistores

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

Conteo de Pines

Velocidad de Conmutación

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiones del Cuerpo

15.8 x 5.2 x 22.74mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Capacitancia de puerta

3710pF

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

160mJ

País de Origen

China