IGBT, FGH40T65UPD, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple

Código de producto RS: 807-0773PMarca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FGH40T65UPD
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

80 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

268 W

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

1MHz

Configuración de transistor

Single

Dimensiones del Cuerpo

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Datos del producto

IGBT discretos, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

IGBT, FGH40T65UPD, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

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Disipación de Potencia Máxima

268 W

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

1MHz

Configuración de transistor

Single

Dimensiones del Cuerpo

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

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IGBT discretos, Fairchild Semiconductor

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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