IGBT, FGH40N60SFDTU, N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
290 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones
15.6 x 4.7 x 20.6mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura de funcionamiento máxima
+150 ºC
Datos del producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 5.165
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 6.146,35
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| 60 - 120 | $ 5.010 | $ 150.300 |
| 150 - 270 | $ 4.855 | $ 145.650 |
| 300+ | $ 4.647 | $ 139.410 |
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80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
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Disipación de Potencia Máxima
290 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones
15.6 x 4.7 x 20.6mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura de funcionamiento máxima
+150 ºC
Datos del producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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