IGBT, FGH30S130P, N-Canal, 60 A, 1300 V, TO-247, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
60 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1300 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±25V
Disipación de Potencia Máxima
500000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
15.87 x 4.82 x 20.82mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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| 100 - 248 | $ 5.508 | $ 11.016 |
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60 A
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Tensión Máxima Puerta-Emisor
±25V
Disipación de Potencia Máxima
500000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
15.87 x 4.82 x 20.82mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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