IGBT, FGH30S130P, N-Canal, 60 A, 1300 V, TO-247, 3-Pines Simple

Código de producto RS: 864-8849PMarca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FGH30S130P
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

60 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1300 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±25V

Disipación de Potencia Máxima

500000 mW

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Transistor Configuration

Single

Dimensiones

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Datos del producto

IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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P.O.A.

IGBT, FGH30S130P, N-Canal, 60 A, 1300 V, TO-247, 3-Pines Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

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±25V

Disipación de Potencia Máxima

500000 mW

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Transistor Configuration

Single

Dimensiones

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Datos del producto

IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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